新型太赫兹半导体激光器美国诞生

时间：2013-06-04 【转载】阅读

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最近，美国哈佛大学和英国利兹大学的一个联合研究小组演示了一种新型太赫兹半导体激光器，其发射的太赫兹光波准直性能与传统太赫兹光源相比有显著改善。该激光器的研发成功，为太赫兹科技的应用开拓了更广阔的领域。
　　新型太赫兹激光器突破了传统材料的限制。研究人员刻了一组亚波长光栅，直接加倍了超材料晶面的光流量，设备以3太赫兹（百亿赫兹）的频率发射光线（波长为100微米，在可见光谱中属于远红外线），大大降低了这些半导体激光器的散射角度，同时保持了光能的高输出功率。
　　这种超材料被直接嵌入光学设备的高吸收性砷化镓晶面上，在演示中能看到，人造光显示出深浅不同的微米光栅，各具不同的功能。浅蓝色的狭缝能将输出的激光功率加倍，导向并限定在晶体表面。
　　太赫兹射线能穿透纸张、衣物、塑料和其它一些材料，在探测隐匿武器和生物制剂方面非常理想，在做肿瘤成像检测时对人体无伤害和副作用，还能探测材料内部诸如断裂之类的缺陷。
　　研究的另一项重要意义就是这种超材料的光导作用。该设备产生的极强太赫兹光线，以直线光束导向激光晶面，这种超强的限定导向作用，还可应用于传感器和太赫兹光路。

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